沉著應對SiC動態(tài)特性差異帶來的測試難點

*測不準——碳化硅SiC動態(tài)特性導致di/dt加快，電流采樣方案需要具備納秒級的解析度，否則測不準器件的動態(tài)特性
*測不全——碳化硅SiC高速開關，測試回路雜感高會帶來極高的電壓尖峰，在器件工作電壓范圍內測不全
*可靠性差——測試驅動電路需要具備極強的抗EMI干擾能力，否則易損壞被測器件，導致設備可靠性差

Edison功率模塊動態(tài)特性測試系統(tǒng)可沉著應對SiC動態(tài)特性差異帶來的測試難點。創(chuàng)新性層疊母排和電容結構設計，測試主回路雜感低至 6nH（Performance版）。高速、高頻、高可靠、高共模瞬變抗擾度（CMTI）使SiC驅動器性能業(yè)界領先。使用泰克公司最新推出的新五系高分辨率示波器和專門用于高壓差分信號測試的光隔離探頭，為三代半導體器件動態(tài)特性表征帶來更高帶寬和更高測試精度。

一站式動態(tài)特性測試系統(tǒng)

• 從實驗室到生產(chǎn)線的全覆蓋

• 從IDM企業(yè)到應用企業(yè)的全覆蓋

• 從Si到SiC的全覆蓋

• 從Discrete到不同封裝Power Module的全覆蓋

高帶寬高精度測量儀器

• 系統(tǒng)匹配全球領先TIVP光隔離探頭，可提供無與倫比的帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制

• 探頭電壓采樣帶寬高達1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬5倍以上

• 共模抑制比高達120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上

• TIVP光隔離探頭能精準捕捉碳化硅器件高速開關時Vgs、Id和Vds的波形細節(jié)

超低雜感測試主回路

• 創(chuàng)新性層疊母排和電容結構設計

• 測試主回路雜感低至 10nH

• 最新改進型低至6nH

強悍的短路測試能力

10kA級短路電流測試能力，放心探索產(chǎn)品極限。

實測工況：直流母線電壓為800V ，短路脈寬2.8us，開通電阻20Ω，關斷電阻20Ω。